SMU是一個閉環(huán)控制裝置,用于在被測設(shè)備上保持穩(wěn)定的力值。
電纜和DUT的電容和電流檢測電阻(SMU內(nèi)部)形成一個極。對于電流檢測電阻和外部電容的某些組合,這可能導(dǎo)致控制回路中足夠的相移,從而導(dǎo)致不穩(wěn)定。
啟用高C模式在電流檢測電阻上應(yīng)用一個內(nèi)部電容來提供一些相位引線,以補(bǔ)償由外部被測物的電容產(chǎn)生的相位滯后,從而恢復(fù)對力值的穩(wěn)定控制。
這與守衛(wèi)無關(guān)。
它與前面板與后面板連接無關(guān)。
在絕大多數(shù)應(yīng)用中,不需要高電容模式。對于2450,除非負(fù)載電容大于約20nF,否則不需要使用此模式。
功能(電壓或電流),NPLC,計數(shù),量程,分辨率數(shù)字和緩沖延遲時間。
程序輸出讀取緩沖區(qū)數(shù)據(jù)、標(biāo)準(zhǔn)偏差和均方根值。數(shù)據(jù)也將被保存到一個文件中。
這是一個用LabView 2017編寫的示例程序。
Tektronix, Inc.版權(quán)所有
請參閱tek.com/sample-license了解許可條款。
3系列MDO選項DDU包括大多數(shù)范圍選項(例如MSO*, AFG, SA,串行總線分析,電源分析),但不包括SEC或DVM選項。
注意:MSO邏輯探針P6316不包括在3系列MDO的選項DDU中。
縮寫詞:任意函數(shù)發(fā)生器(AFG),數(shù)字電壓表(DVM),頻譜分析儀(SA),增強(qiáng)安全選項(SEC)
選項SA1 (1GHz)現(xiàn)在是3系列MDO的標(biāo)準(zhǔn)配置。為了啟用它,只需注冊3系列MDO,它將生成一個新密鑰來啟用SA1選項。
MOSFET開關(guān)器件工作在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)。在“開”狀態(tài)下,開關(guān)的阻抗理論上為零,無論流過多少電流,開關(guān)都不會耗散功率。在“關(guān)”狀態(tài)下,開關(guān)的阻抗理論上是無限的,因此沒有電流流過,也沒有功率耗散。
漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS)是MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時漏極和源極之間的有效電阻。當(dāng)施加特定的柵源電壓(VGS)時,就會發(fā)生這種情況。一般來說,隨著VGS的增大,導(dǎo)通電阻減小。MOSFET導(dǎo)通電阻越低越好,因為低電阻減少了不必要的功耗,提高了器件的功率效率。
此服務(wù)將提供一個USB閃存驅(qū)動器,其中包含升級程序文件和安裝升級的說明。
Follow us
Website: www.ywjtfs3.com.cn
Tel: 0755-82895217 13715302806
Fax: 0755-88607056
Address: 405-408, East Building 24, Longbi Industrial Zone, Bantian, Longgang District, Shenzhen
Share