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　　概述

　　隨著清潔能源需求增長(zhǎng)，太陽(yáng)能的潛力日益受到關(guān)注，太陽(yáng)能電池通過(guò)吸收光子釋放電子，將陽(yáng)光直接轉(zhuǎn)化為電能。電氣測(cè)試廣泛用于研發(fā)和生產(chǎn)中，以表征其性能，包括直流/脈沖電壓測(cè)量、交流電壓測(cè)試等，分析關(guān)鍵參數(shù)如輸出電流、轉(zhuǎn)換效率和大功率輸出，常結(jié)合不同光強(qiáng)和溫度條件進(jìn)行。

　　4200A-SCS參數(shù)分析儀可簡(jiǎn)化這些電氣測(cè)量過(guò)程，集成直流和快速I(mǎi)-V、C-V測(cè)量功能，具備控制軟件、圖形繪制和數(shù)學(xué)分析能力。它適用于多種測(cè)量，包括直流/脈沖I-V、C-V、C-f、驅(qū)動(dòng)級(jí)電容分析(DLCP)、四探針電阻率和霍爾電壓測(cè)量。這些功能可幫助優(yōu)化太陽(yáng)能電池性能，使其效率大化。本應(yīng)用說(shuō)明描述了如何使用4200A-SCS對(duì)光伏電池進(jìn)行這些電測(cè)量。

　　使用4200A-SCS進(jìn)行電氣測(cè)量

　　為了簡(jiǎn)化光伏材料和電池的測(cè)試，4200A-SCS配有對(duì)應(yīng)的測(cè)試和一個(gè)可以輕松地進(jìn)行多項(xiàng)常用相關(guān)測(cè)量的項(xiàng)目。這些測(cè)試包括I-V、電容和電阻率測(cè)量，還包括提取大功率、短路電流、缺陷密度等公共參數(shù)的公式。

　　直流電流/電壓（I-V）測(cè)量

　　太陽(yáng)能電池的多項(xiàng)參數(shù)可通過(guò)電流-電壓(I-V)測(cè)量獲得。使用4200A-SCS的源測(cè)量單元(SMU)便可完成此任務(wù)，它既可作為電壓源，又可測(cè)量電流。4200A-SCS的SMU具有四象限工作能力，能夠以施加電壓的函數(shù)吸收電池電流，并提供四種型號(hào)：4200-SMU/4201-SMU（大100mA）和4210-SMU/4211-SMU（大1A）。若電池電流超出以上范圍，可通過(guò)減小電池面積或使用吉時(shí)利SourceMeter?儀器獲得更高電流支持。

　　從I-V測(cè)量得到的參數(shù)

　　太陽(yáng)能電池的等效電路模型包括光感應(yīng)電流源(IL)、二極管、串聯(lián)電阻(rs)和分流電阻(rsh)，其中串聯(lián)電阻影響短路電流和輸出功率，理想值為0Ω，而分流電阻反映漏流損耗，理想值為∞。當(dāng)光照射在太陽(yáng)能電池上并連接負(fù)載電阻時(shí)，總電流為

　　I=ls(eqV/kT?1)?ILI=ls(e^{qV/kT}-1)-ILI=ls(eqV/kT?1)?IL。表征電池效率的關(guān)鍵參數(shù)包括大功率點(diǎn)(Pmax)、能量轉(zhuǎn)換效率(η)和填充因子(FF)，大功率點(diǎn)對(duì)應(yīng)電池I-V曲線的“拐點(diǎn)”，此處輸出功率達(dá)到大。

　　連接到太陽(yáng)能電池進(jìn)行I-V測(cè)量

　　圖1顯示了使用4200A-SCS連接太陽(yáng)能電池進(jìn)行I-V測(cè)量的配置。太陽(yáng)能電池通過(guò)四線連接測(cè)試，其中一對(duì)引線(Force)提供電壓，另一對(duì)引線(Sense)測(cè)量壓降。這種配置可消除引線電阻的影響，確保測(cè)量的準(zhǔn)確性，同時(shí)Sense端引線能補(bǔ)償電壓偏差，確保電池電壓與設(shè)定值一致。

　　圖1.4200A-SCS連接到太陽(yáng)能電池進(jìn)行I-V測(cè)量

　　正向偏置I-V測(cè)量

　　太陽(yáng)能電池的正向偏置I-V測(cè)量在受控光照下進(jìn)行，通過(guò)“fwd-ivsweep”測(cè)試由4200A-SCS的SMU完成，電壓從0掃至開(kāi)路電壓(Voc)。短路電流(Isc)和開(kāi)路電壓(Voc)可直接從掃描數(shù)據(jù)中提取，其他參數(shù)如轉(zhuǎn)換效率(η)和電流密度(J)可通過(guò)公式器計(jì)算。I-V掃描結(jié)果可生成半對(duì)數(shù)圖或倒置圖形，以支持不同分析需求。

　　串聯(lián)電阻(rs)可通過(guò)不同光強(qiáng)下的正向I-V曲線確定，方法為連接線性區(qū)域點(diǎn)并測(cè)量其斜率的倒數(shù)。4200A-SCS的SMU具有極低的電壓負(fù)荷，僅幾百μV，與傳統(tǒng)數(shù)字萬(wàn)用表相比，更適合太陽(yáng)能電池的低電壓測(cè)量，減少測(cè)試誤差。

　　反向偏置I-V測(cè)量

　　從反向偏置I-V數(shù)據(jù)可以推導(dǎo)出太陽(yáng)能電池的漏電流和分流電阻(rsh)。測(cè)試通常在暗室中進(jìn)行，通過(guò)逐步增加電壓至擊穿電平并測(cè)量電流繪制曲線。SMU的前置放大器支持pA級(jí)甚至更小的精確測(cè)量，使用低噪聲電纜和屏蔽盒可進(jìn)一步減少干擾，屏蔽連接至4200A-SCS的Force LO端子。

　　分流電阻(rsh)可通過(guò)反向偏置I-V曲線的線性區(qū)域斜率計(jì)算（如圖2所示）。Solar Cell Reverse I-V Sweep(“rev-ivsweep”)測(cè)試可生成實(shí)際的反向偏置特性曲線，半對(duì)數(shù)圖顯示了電流絕對(duì)值與反向偏置電壓的關(guān)系（如圖3所示），用于更直觀的分析。

　　圖2.太陽(yáng)能電池典型的反向偏置特性

　　圖3.用SMU測(cè)量硅太陽(yáng)能電池的反向偏置I-V

　　電容的測(cè)量

　　C-V測(cè)量在推導(dǎo)太陽(yáng)能裝置的特定參數(shù)時(shí)是非常有用的。根據(jù)太陽(yáng)能電池的類型，電容-電壓(C-V)測(cè)量可用于推導(dǎo)摻雜濃度和結(jié)的內(nèi)置電壓等參數(shù)。電容-頻率(C-f)掃描可用于提供耗盡區(qū)是否存在陷阱（空穴/阱電容）。4200A-SCS的可選4210-CVU或4215-CVU作為電容計(jì)，測(cè)量電容的相關(guān)函數(shù)：施加的直流電壓(C-V)，頻率(C-f)，時(shí)間(C-t)，或施加AC電壓。CVU還可以測(cè)量電導(dǎo)和阻抗。

　　為了進(jìn)行電容測(cè)量，如圖4所示，將太陽(yáng)能電池連接到CVU上。與使用SMU進(jìn)行的I-V測(cè)量一樣，電容測(cè)量也涉及四線連接以補(bǔ)償引線電阻。HPOT/HCUR端子連接到陽(yáng)極，LPOT/LCUR端子連接到陰極。將CVU的直流高壓源端連接到陽(yáng)極。

　　圖4.將太陽(yáng)能電池連接到CVU電容計(jì)

　　圖4顯示了來(lái)自電容計(jì)四個(gè)端子的四根同軸電纜的屏蔽連接。來(lái)自同軸電纜的屏蔽必須盡可能靠近太陽(yáng)能電池連接在一起，以獲得高的精度，因?yàn)檫@減少了測(cè)量電路中電感的影響。這對(duì)于在更高的測(cè)試頻率下進(jìn)行電容測(cè)量尤其重要。

　　考慮到電池的電容與器件的面積直接相關(guān)，在可行的情況下，可能需要減小電池本身的面積，以避免電容可能過(guò)高而無(wú)法測(cè)量。此外，將CVU設(shè)置為在較低的測(cè)試頻率和/或較低的AC驅(qū)動(dòng)電壓下測(cè)量電容，將允許測(cè)量較高的電容。

　　C-V掃描

　　C-V測(cè)量可在正向或反向偏置下進(jìn)行，但正向偏置時(shí)需限制直流電壓，以避免過(guò)高電導(dǎo)導(dǎo)致測(cè)量失敗，且直流電流不得超過(guò)10mA，否則儀器可能進(jìn)入鉗位狀態(tài)。反向偏置條件下，通過(guò)Solar Cell C-V Sweep測(cè)試生成的C-V曲線如圖5所示。

　　圖5.硅太陽(yáng)能電池的C-V掃描

　　為了進(jìn)一步分析，可繪制1/C2與電壓的關(guān)系曲線（如圖6所示）。內(nèi)置電壓可通過(guò)1/C2曲線與橫軸的交點(diǎn)推導(dǎo)，摻雜密度則作為電壓的函數(shù)顯示在Analyze窗口中。用戶可使用公式器輸入電池面積以計(jì)算這些參數(shù)，或通過(guò)線性擬合選項(xiàng)直接獲取內(nèi)置電壓值。

　　圖6.1/C2 vs.硅太陽(yáng)能電池的電壓

　　C-f掃描

　　CVU選項(xiàng)還可以測(cè)量電容、電導(dǎo)或阻抗與測(cè)試頻率的函數(shù)。頻率范圍從1kHz到10MHz。圖7中的曲線是使用Solar Cell C-f sweep或“cfsweep”測(cè)試生成的。掃描頻率的范圍和偏置電壓都可以調(diào)節(jié)。所需的參數(shù)，如陷阱密度，可以從電容與頻率的數(shù)據(jù)中提取。測(cè)量可以在不同溫度下重復(fù)進(jìn)行。

　　圖7.Solar Cell的C-f掃描

　　驅(qū)動(dòng)級(jí)電容分析(DLCP)

　　驅(qū)動(dòng)級(jí)電容分析(DLCP)是一種技術(shù)，用于確定陷阱密度(NDL)隨光伏電池結(jié)深的變化。在DLCP測(cè)量中，AC電壓的峰峰值進(jìn)行掃頻，同時(shí)直流電壓隨著電容測(cè)量而變化。與傳統(tǒng)C-V測(cè)量不同，DLCP保持總施加電壓(AC+直流)恒定，通過(guò)調(diào)節(jié)直流電壓偏置來(lái)改變樣品內(nèi)固定位置(Xe)，從而確定裸露電荷密度(ρe)。

　　DLCP的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是能夠通過(guò)調(diào)整直流偏置，分析陷阱密度隨距離變化的特性，還可進(jìn)行特定深度的能量分析。此外，測(cè)量中可改變測(cè)試頻率和溫度，以實(shí)現(xiàn)基于能量的更詳細(xì)分析。

　　脈沖式I-V測(cè)量

　　脈沖式I-V測(cè)量用于分析太陽(yáng)能電池參數(shù)，如轉(zhuǎn)換效率、小載流子壽命和電池電容影響。通過(guò)4225-PMU模塊進(jìn)行測(cè)量，可輸出脈沖電壓、捕獲高速波形并吸收電流，支持單通道或雙通道配置，采用2線技術(shù)校正電纜電壓損失，無(wú)需4線測(cè)量。

　　為確保測(cè)量準(zhǔn)確性，需驗(yàn)證脈沖寬度足夠長(zhǎng)，波形捕獲模式可用于動(dòng)態(tài)測(cè)試和脈沖設(shè)置優(yōu)化。對(duì)電容較大的太陽(yáng)能電池，可通過(guò)減小電池面積減少穩(wěn)定時(shí)間。圖8顯示的結(jié)果表明，PMU吸收電流，電流曲線延伸至第四象限。

　　圖8.使用4225-PMU對(duì)太陽(yáng)能電池進(jìn)行脈沖I-V測(cè)量

　　電阻率和霍爾電壓測(cè)量

　　電阻率的大小直接影響太陽(yáng)能電池的性能，因此測(cè)量電池材料的電阻率是一項(xiàng)常見(jiàn)的電學(xué)測(cè)試。半導(dǎo)體材料的電阻率通常采用四探針?lè)y(cè)量，該方法能有效消除探頭電阻、擴(kuò)展電阻以及金屬觸點(diǎn)與材料之間接觸電阻引起的誤差。

　　常用的電阻率測(cè)量技術(shù)包括四探針?lè)ê头兜卤し?。SolarCell項(xiàng)目中包含了用于執(zhí)行這兩種測(cè)量的多項(xiàng)測(cè)試，還提供了測(cè)量范德堡系數(shù)和霍爾系數(shù)的獨(dú)立測(cè)試。用戶可在Select視圖的搜索欄中輸入相應(yīng)測(cè)試名稱（如vdp-surface-resistivity、vdp-volume-resistivity或hall-coefficient）以快速找到所需測(cè)試。

　　四探針測(cè)量法

　　四探針技術(shù)是將四個(gè)等間距的探針與阻值未知的材料接觸。如圖9所示，探針陣列被放置在材料的中心。兩個(gè)外部探針用于加載電流源，兩個(gè)內(nèi)部探針用于測(cè)量通過(guò)材料表面產(chǎn)生的電壓差。

　　圖9.四探針測(cè)電阻率

　　已知加載電流和被測(cè)電壓計(jì)算表面或薄膜電阻率:

　　σ=表面電阻率(Ω/□)

　　V=回讀電壓(V)

　　I=加載電流(A)

　　如果樣品的厚度已知，則體電阻率可以按如下方式計(jì)算:

　　ρ=體電阻率(Ω-cm)

　　t=樣品厚度(cm)

　　k=修正因子*基于探針間距與晶圓直徑之比以及晶圓

　　厚度與探針間距之比

　　用范德堡法測(cè)量電阻率

　　范德堡(vdp)技術(shù)測(cè)量電阻率使用四個(gè)孤立的觸點(diǎn)在一個(gè)扁平的，任意形狀的樣品。電阻率是根據(jù)圖10所示在樣品周?chē)M(jìn)行的8次測(cè)量得出的。

　　圖10.范德堡電阻率測(cè)量方法

　　一旦完成了所有的電壓測(cè)量，就可以推導(dǎo)出兩個(gè)電阻率值ρA和ρB：

　　采用vdp-resistivity subsite

　　和vdp法進(jìn)行測(cè)試

　　為了實(shí)現(xiàn)vdp電阻率測(cè)量的自動(dòng)化，solarcell項(xiàng)目有一個(gè)vdp-resistivity subsite，包含四個(gè)測(cè)試：“i1-v23”、“i2-v34”、“i3-v41”和“i4-v12”。測(cè)試的截圖如圖11所示。

　　圖11.范德堡測(cè)試的截圖

　　圖12.范德堡測(cè)量的SMU配置

　　樣品的每個(gè)端子都連接到SMU的Force HI端子，因此需要帶有四個(gè)SMU的4200A-SCS。四個(gè)SMU在每個(gè)測(cè)試中的配置不同：一個(gè)SMU提供測(cè)試電流，兩個(gè)配置為電壓表，一個(gè)設(shè)置為公共端。在樣品周?chē)貜?fù)此測(cè)量設(shè)置，四個(gè)SMU中的每一個(gè)都在四個(gè)測(cè)試中的每個(gè)測(cè)試中發(fā)揮不同的功能。圖12顯示了每次測(cè)試中每個(gè)SMU的功能。

　　霍爾電壓測(cè)量

　　霍爾效應(yīng)測(cè)量對(duì)于半導(dǎo)體材料的表征很重要，因?yàn)榛魻栯妷嚎梢詫?dǎo)出導(dǎo)電類型、載流子密度和霍爾遷移率。在外加磁場(chǎng)的情況下，可以使用圖13所示的配置來(lái)測(cè)量霍爾電壓。

　　圖13.霍爾電壓測(cè)量

　　使用4200A-SCS測(cè)量霍爾電壓

　　SolarCell項(xiàng)目不包括測(cè)量霍爾電壓的具體測(cè)試；然而，可以在subsite上增加四個(gè)測(cè)試，以確定霍爾系數(shù)和遷移率?？紤]到霍爾測(cè)量的配置與范德堡電阻率測(cè)量非常相似，可以復(fù)制和修改vdp測(cè)試以進(jìn)行霍爾電壓測(cè)量。這些修改涉及改變SMU的功能。

　　如果使用永磁體，則可以使用動(dòng)作庫(kù)中的動(dòng)作來(lái)創(chuàng)建一個(gè)對(duì)話框項(xiàng)目提示，該對(duì)話框?qū)⑼Ｖ鬼?xiàng)目樹(shù)中的測(cè)試序列，并指示用戶更改應(yīng)用于樣品的磁場(chǎng)性。項(xiàng)目提示符是一個(gè)對(duì)話框窗口，它暫停項(xiàng)目測(cè)試序列并提示用戶執(zhí)行某些操作。有關(guān)如何使用對(duì)話框動(dòng)作的說(shuō)明，請(qǐng)參閱4200A-SCS參考手冊(cè)。后，在subsite的Calc表中推導(dǎo)出霍爾系數(shù)和遷移率。這些數(shù)學(xué)函數(shù)可以加到其他公式中，用于測(cè)定電阻率。

　　結(jié)論

　　測(cè)量太陽(yáng)能電池的電特性對(duì)于確定設(shè)備的輸出性能和效率至關(guān)重要。4200A-SCS通過(guò)自動(dòng)化I-V、C-V、脈沖I-V和電阻率測(cè)量來(lái)簡(jiǎn)化電池測(cè)試，并提供圖形和分析功能。對(duì)于大于1A的電流測(cè)量，Keithley提供可用于太陽(yáng)能電池測(cè)試的源表儀器。代替使用四個(gè)獨(dú)立的測(cè)試在subsite的Cals表格中進(jìn)行霍爾電壓測(cè)量，從庫(kù)中添加霍爾系數(shù)測(cè)試，它將所有測(cè)量和參數(shù)提取合并到一個(gè)測(cè)試中。