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當測量整流交流的直流(平均值)含量時，必須將信號施加到DMM的直流輸入端。

對于半波整流交流，直流含量或平均值為Vpeak / PI。例如，一個20.6V的RMS變壓器連接到一個硅二極管，硅二極管連接到一個10k電阻。電阻器用于使足夠的電流在二極管中流動，以在二極管上產生電壓降并發(fā)生整流。

峰值電壓為sqrt (2) * 20.6 = 29.1Vpk。二極管上的壓降約為0.6V。DMM輸入端的峰值電壓為29.1 - 0.6 = 28.5Vpk。平均電壓為28.5V / PI = 9.08VDC。我們將DMM量程設置為10V，將信號連接到DMM, DMM顯示溢出。有些數字mm不夠復雜，無法顯示溢出。這些DMM可能顯示錯誤的讀數。為什么讀取錯誤或溢出?

DMM的峰值電壓為28.5V。DMM預計最大電壓為10VDC。數字萬用表的輸入放大器變得飽和，導致精密數字萬用表溢出或不那么精密的數字萬用表測量誤差。為了緩解這個問題，將范圍從10V提高到100V。DMM上的讀數現在是9.06VDC;非常接近期望值。

對于全波整流交流，平均或直流= 2 * Vpeak / PI。

在我們的例子中，我們期望直流電等于峰值電壓的2倍，減去0.6V二極管壓降全部除以PI。Dc = (2 * 29.1 - 0.6) / PI = 18.3vdc。在這種情況下，峰值電壓28.5和直流等效電壓18.3都在同一范圍內。對于這個例子，當設定預期的直流測量范圍時，我們不會遇到峰值電壓使DMM輸入飽和的問題。

MOSFET開關器件工作在導通和關斷狀態(tài)。在“開”狀態(tài)下，開關的阻抗理論上為零，無論流過多少電流，開關都不會耗散功率。在“關”狀態(tài)下，開關的阻抗理論上是無限的，因此沒有電流流過，也沒有功率耗散。

漏極-源極導通電阻(RDS)是MOSFET處于導通狀態(tài)時漏極和源極之間的有效電阻。當施加特定的柵源電壓(VGS)時，就會發(fā)生這種情況。一般來說，隨著VGS的增大，導通電阻減小。MOSFET導通電阻越低越好，因為低電阻減少了不必要的功耗，提高了器件的功率效率。

這兩個軟件產品在Windows PC上執(zhí)行波形分析。它們有相似的名稱，但“TekScope”是當前產品，而“TekScope Anywhere”已不再銷售。

有關TekScope PC分析軟件的最新信息，請訪問TekScope產品頁面。

TekScope Anywhere已不再銷售。它包括時序、眼動和抖動分析，使用來自泰克DPO/MSO5000、DPO7000C或DPO/MSO70000C/D/DX/SX的波形數據和設置，以及來自DPO/MDO3000和DPO/MDO4000系列示波器的波形數據。目前的“TekScope”產品支持“TekScope Anywhere”以前支持的所有功能。

源測量單元，簡稱SMU，是一類特殊的儀器。把這個短語和示波器或數字萬用表放在同一水平上。它們也可能被稱為源監(jiān)控單元、源測量單元或其他仍然縮寫為SMU的短語。在口語中，這個首字母應該被讀成單獨的字母，“S-M-U”，盡管你可能聽到它被非正式地讀成“smoo”。

SourceMeter?是吉時利源測量單位的商標名稱。源計的名稱意味著您的儀器具有您可以期望的基思利源測量單元的質量，能力和性能。使用SourceMeter或SourceMeter來引用其他制造商的smu是不正確的。

當測量相同的電壓源時，如果您注意到納米電壓表的通道1和通道2之間報告的電壓有差異，那么您可能看到了泵送電流的影響。當測量電壓<1V且通道1 LO和通道2 LO之間的電阻>100kΩ時，該效應顯著。當使用通道2測量< 1v時，確保兩個通道LOs連接在一起。

如果必須使用通道2 LO測量<1V，并且通道2 LO不能連接到通道1 LO(或電阻必須>100kΩ)，則可以使用低電荷注入模式來減小泵出電流。然而，這種模式大大增加了測量噪聲。

有關更多信息，請參閱2182A用戶手冊中有關泵出電流的部分。

Keithley電源型號中的“G”表示電源具有內置GPIB端口。但是，有些型號可能包括GPIB端口，但型號中沒有G。檢查儀器數據表以獲得最準確的信息。

這些電源通常是相同的，除了'G'型號具有GPIB端口。見下表的一些其他等效模型。